佳能开发类Foveon X3背照式CMOS传感器

2013-5-23 09:27| 发布者:cphoto| 查看:454| 评论:1|来自:新摄影网

摘要:适马Foveon X3传感器模块 佳能类Foveon X3背照式CMOS传感器专利现已公布,日本公开专利号No.2013-93553。新专利对各色层感光面积进行了优化配置,并利用相长干涉原理提高单位像素透光率,从而达到提升高感光度性能的 ...


适马Foveon X3传感器模块

佳能类Foveon X3背照式CMOS传感器专利现已公布,日本公开专利号No.2013-93553。新专利对各色层感光面积进行了优化配置,并利用相长干涉原理提高单位像素透光率,从而达到提升高感光度性能的目的。

No.2013-93553号专利详情

  • 公开日期:2013年5月16日
  • 申请日期:2011年10月4日

受限于CMOS制造技术,佳能近年新款单反/无反相机一直都在沿用2010年发布的1800万像素传感器,虽然后续加入了相位差检测对焦技术,但其实际表现平平,很难说让人满意。于此同时,适马Foveon X3传感器技术受到越来越多人的关注,索尼、东芝相继申请了自己的分层传感器专利。

理论上,Foveon X3传感器可记录全部色彩,而且无低通滤镜设计可以带来更锐利的成像效果。从实际评测来看,在光照足够的环境下,相机拥有无可比拟画质,但当感光度大于ISO 400时,其成像质量已经可以用惨不忍睹来形容。

新专利拥有背照式CMOS传感器的各项优点,佳能还对各色层感光面积进行了优化配置,越接近底层,感光面积越大。同时,绿/红色层感光二极管表面设置有一层凹凸微透镜,微透镜按照光线波长的1/4-2倍距离排列,利用相长干涉原理,提高色层透光率,从而改善传感器高感光度性能。


实施例1:佳能类Foveon X3普通CMOS传感器显微结构


实施例2:佳能类Foveon X3背照式CMOS传感器显微结构


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