佳能新专利改善全像素双核传感器高、低感光度画质

2013-11-13 10:04| 发布者：cphoto| 查看：549| 评论：0|来自：新华网

摘要：　　佳能新全像素双核CMOS AF传感器技术专利现已公布，日本公开专利号No.2013-228692。新专利在单位像素内设置了2个灵敏度各异的独立光电二极管，其目的在于提高传感器动态范围，进而提升高、低感光度画质表现。　　 ...

　　佳能新全像素双核CMOS AF传感器技术专利现已公布，日本公开专利号No.2013-228692。新专利在单位像素内设置了2个灵敏度各异的独立光电二极管，其目的在于提高传感器动态范围，进而提升高、低感光度画质表现。

　　No.2013-228692号专利详情：

　　公开日期：2013年11月7日

　　申请日期：2012年3月29日

　　发明人：池本圣雄

　　要实现传感器相位差对焦功能，常见做法是在CMOS内设置独立检测像素，成像时再进行屏蔽，缺点在于会劣化低感光度画质表现。为此，佳能研制了全像素双核CMOS AF传感器技术（Dual Pixel CMOS AF），并率先应用于EOS 70D。其技术原理是在1个像素内放入2个光电二极管，对焦时相当于2个像素模拟相位差对焦，成像时再合并为1个像素输出成像信号。