理光单电专利公布

2014-11-27 17:30| 发布者:cphoto| 查看:574| 评论:0|来自:新摄影网

摘要:单电相机结构理光半透镜单电相机专利现已公布,日本公开专利号No.2014-219638,与目前市场上的单电产品相比,该专利特点在于半透镜的可见光透光率可调,可调范围在50%-100%之间。No.2014-219638号专利详情:公开日期 ...


单电相机结构

理光半透镜单电相机专利现已公布,日本公开专利号No.2014-219638,与目前市场上的单电产品相比,该专利特点在于半透镜的可见光透光率可调,可调范围在50%-100%之间。

No.2014-219638号专利详情

  • 公开日期:2014年11月20日
  • 申请日期:2013年5月10日

目前市场上唯一采用半透镜结构相机的只有索尼A卡口一家,其优点在于既实现了实时取景,同时又兼顾了高速相位差对焦和连拍性能。但缺点也显而易见,半透镜分配了一部分光线用于对焦,而传感器实际接收到的光量打了折扣,实际光损失在30%左右。


理光单电结构

理光目前有子品牌单反宾得,短期内应该不会在结构方面做出太大改变,新专利或许只是技术性探索,当然也不能排除新相机系统的可能。


双层半透镜显微结构

根据现已公布的资料,新专利半透镜由两层复合镀膜基板组成,借助压电陶瓷等技术,在纳米级范围内(5-300nm)改变两层基板距离,从而实现对透光率的调节。针对可见光(波长范围380-780nm)的反光量约为0-50%,即是说透光率在50-100%之间。


基板间隔距离不同,半透镜透光率也不一样

相比于索尼单电,理光专利做得更极端但又更智能一些。比如在讲求对焦速度的场合,可以将50%的光线分配给对焦测光系统。当追求画质时又可将透光率设置为100%。


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